存储芯片涨价潮仍在持续。
研究机构DigiTimes在最新发布的报告中指出 ，受AI（人工智能）需求激增、产能结构性瓶颈影响 ，高带宽内存（HBM）费用 预计2027年实现翻倍 。与此同时，SK海力士CEO郭鲁正(Kwak Noh-jung)表示 ，预计2027年将成为存储芯片行业供应短缺最严重的一年 。
种种迹象表明 ，存储芯片行业的涨价潮正愈演愈烈。存储模组大厂威刚的董事长近日透露，2026年第三季度 ，存储芯片继续涨价 。
费用 或将翻倍
当地时间7月10日 ，DigiTimes最新报告援引业内人士观点称，受AI算力需求爆发 、产能结构性紧缺双重因素影响，HBM费用 预计2027年实现翻倍 。
行业消息人士称 ，下一代HBM4的费用 可能从2026年下半年约2美元/千兆比特飙升至4至5美元 ，甚至更高。
据介绍，涨价核心源于两大生产原因：一方面 ，HBM4工艺制造难度极高 ，生产周期长达4至6个月，初期良品率偏低；另一方面 ，生产HBM所需晶圆面积是普通DDR5内存的3倍 ，现有产线产能释放空间被大幅压缩 。
当前全球HBM三大主要生产商——三星电子 、SK海力士和美光科技正通过与一级AI客户签订为期三到五年的长期协议，锁定全球内存供应 。
DigiTimes预判 ，2027年全球近半数DRAM产能将被大客户包揽 ，中小厂商难以拿到供货份额。
与此同时，供应链有消息透露 ，2027年AI硬件将持续存在根本性供货缺口。2026年底芯片厂商议价权将拉满 ，未提前签订长期供货协议的消费电子企业，或将遭遇严重内存断供危机 。
今年，部分供应商的DDR5利润率已突破80% ，迫使芯片制造商不得不要求更高的HBM定价 ，以证明从传统DRAM生产线转移的合理性 。
紧缩供应、涨价叙事正在成为存储芯片板块的强大催化剂。
美东时间7月10日，韩国存储芯片巨头SK海力士通过美国存托凭证（ADR）在美股市场首次亮相 ，创下历史纪录的265亿美元发行规模 ，其ADR费用 大涨超12%，较韩股普通股股价存在显著溢价 ，显示出美股存储芯片板块巨量交易的强劲延续态势 。
SK海力士首席执行官郭鲁正表示 ，全球存储芯片行业正迈向史上最严重的供应短缺，预计2027年将成为行业供应最紧张的一年 。尽管公司正积极扩充产能 ，但他预计 ，存储芯片需求仍将持续超过公司的生产能力，并一直延续到2030年以后。
存储模组大厂释放重磅信号
全球第二大存储模组企业——威刚董事长陈立白近日透露 ，2026年第三季度存储芯片继续涨价 。
陈立白表示 ，2026年第三季度，DRAM与NAND Flash费用 将再度大幅上调，两大产品线涨势明确 ，存储产业的上升通道仍在加速 。
陈立白透露 ，存储器原厂已通知第三季度DRAM合约价将上涨20%至30%，NAND Flash将调涨35%至40%；两大产品线费用 均维持上升趋势 ，将持续助力威刚业绩表现。
陈立白称 ，当前三大存储原厂2026年绝大部分产能早已提前订满售出，不少客户已经开始洽谈2027年及更长期的供货合约 。
威刚表示 ，随着AI算力需求持续扩张 ，厂商分配给通用DRAM 、消费级固态硬盘NAND闪存的产能持续缩减，本就处于供给最紧张阶段的存储市场供需矛盾将进一步加剧 。2027年内存 、固态硬盘产品的供货紧缺问题或将进一步恶化。
在此之前 ，多家机构也发表报告预计2026年第三季度存储芯片费用 将继续上涨 。
据TrendForce（集邦询问 ）最新发布的存储器费用 调查报告 ，第三季度整体DRAM格局持续极度紧缺，但因消费级应用需求下修及高费用 基数原因 ，合约价涨幅收敛 ，预计将季增13%—18% 。
NAND Flash方面，集邦询问 认为，主要需求仍由AI推理与大型数据中心建设支撑 ，但因合约费用 已达历史高点 ，消费端客户在需求放缓的情况下，对费用 承受力已达极限 ，预计整体NAND Flash合约价将季增10%—15% ，涨价幅度较前几季明显缩减。
瑞银在7月发布的最新报告中大幅上调存储芯片费用 预期，称DRAM报价会在第三季度上涨32%（此前预期17%）、第四季度再涨18%（此前预期12%）；NAND Flash报价预计会在第三季度上涨30% ，第四季度将再涨12%。
（文章来源：券商中国）
